SK 海力士计划采用1c nm 32Gb DRAM打造HBM4E内存,进一步提升容量
SK海力士技术人员KimKwiWook在IEEEIMW国际存储研讨会上透露,该企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存,未来可实现4...
SK海力士技术人员KimKwiWook在IEEEIMW国际存储研讨会上透露,该企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存,未来可实现4...
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5月10日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造,以增强其在HBM业务上的竞争力。具体而言,由现有DRAM...
作者:李笑寅AI浪潮驱动下,HBM的市场需求持续高涨,“供不应求”的局面还将持续多久?4月14日,美国银行发布全球内存技术主题研报,对HBM(HighBandwidthMe...