铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

科技 2024-06-28 10:02 阅读:

6 月 28 日消息,铠侠结束为期 20 个月的 NAND 闪存减产计划,日本两座工厂生产线开工率提升至 100% 之后,上周披露了其 3D NAND 路线图计划。

根据 PC Watch 和 Blocks & Files 的报道,铠侠目标在 2027 年达到 1000 层的水平。

援引媒体报道,3D NAND 在 2014 年只有 24 层,到 2022 年达到 238 层,8 年间增长了 10 倍。而铠侠目标以平均每年 1.33 倍的速度增长,到 2027 年实现 1000 层堆叠。

三星在上个月表示,计划 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片,其中铪基薄膜铁电将成为这项成就的关键。

在摘要部分中写到,在金属带工程栅极中间层、铁电开关、沟道中间层和硅 FeFET 架构中,使用 FE 开关相互作用,来显著提高性能,表明 hafnia FE 成为扩展 3D VNAND 技术发展的关键推动力。

在 3D NAND 闪存的层数挑战上,铠侠似乎比三星更有野心。

首先是政策和资本扶持,铠侠受益于内存行业的复苏,最近获得了日本政府的补贴和银行财团的额外融资,此外该公司还计划今年年底 IPO 上市,让铠侠有充足的资金,追求技术进步和成本优化。

其二是技术演进和积累,铠侠预测到 2027 年 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit / mm2,实现 1000 层。

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠 第1张

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠 第2张

提高 3D NAND 芯片的密度不仅仅是在芯片上堆叠更多层,因为每层的边缘都需要暴露以进行字线电气连接。这为芯片提供了阶梯状轮廓,随着层数的增加,阶梯所需的芯片面积也会增加。

铠侠雄心勃勃地计划到 2027 年实现 1000 层技术,这是迄今为止所有制造商宣布的最高层数。然而,要达到这一里程碑,就必须从 TLC过渡到 QLC,甚至可能过渡到 PLC。其中涉及的技术挑战是巨大的,铠侠能否在 2027 年之前实现这一市场里程碑还有待观察。

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠 第3张