三星半导体近日在技术博客中介绍了最新推出的QLC数据中心级固态硬盘BM1743，该硬盘搭载了目前最新的QLC闪存技术。与此前的QLC固态硬盘相比，BM1743在存储密度和性能方面都有了显著提升。
根据TrendForce集邦咨询的数据，目前在QLC数据中心级固态硬盘领域，只有三星和SK海力士旗下的Solidigm通过了企业客户的验证。而三星的v7 QLC V-NAND闪存与上一代的v5 QLC V-NAND相比，在堆叠层数方面几乎翻了一倍，存储密度也大幅提升。此外，v7 QLC V-NAND的顺序读写性能至少是之前的两倍，随机读取速度更是提升了4倍。这意味着BM1743可以提供比基于v5 QLC V-NAND的上一代数据中心QLC固态硬盘BM1733a更大的容量和更出色的性能，满足数据中心对更优秀存储的需求。
BM1743有两种外形规格，分别是U.2和E3.S。其中，U.2版本支持PCIe 4.0，容量可达61.44TB，并且还有进一步扩展至122.88TB的潜力。而E3.S版本则支持PCIe 5.0。相比之下，BM1733a仅支持PCIe 3.0，最大容量也只有15.36TB，即61.44TB的四分之一。此外，在可靠性方面，BM1743的写入耐久性为0.26DWPD，断电数据保持时间为3个月，而BM1733a的这两项数据分别为0.18DWPD和1个月。
具体到2.5英寸U.2版本的性能表现，BM1743的顺序读取速度为7200MB/s，顺序写入速度为2000MB/s，随机读取速度为1600K IOPS，随机写入速度为110K IOPS。
三星半导体表示，用户可以选择在现有的PCIe 3.0环境中使用BM1743，享受更低的TCO成本。同时，也可以充分利用BM1743对PCIe 4.0的支持，降低读取任务的响应时间，提升AI负载处理能力。而BM1743的E3.S版本对PCIe 5.0的支持将为数据中心带来更大的性能优势。
通过这次的发布，三星再次展示了其在数据中心级固态硬盘领域的技术实力和创新能力。BM1743的推出将进一步推动数据中心存储技术的发展，满足不断增长的存储需求。
