国内HBM开发取得进展：两家存储器制造商跟进，目标2026年生产HBM2

近年来高带宽内存的需求急剧上升，随着人工智能热潮的到来，让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头，目前都在加速开发新产品，并积极地扩张产能。

据Trendforce报道，国内存储厂商武汉新芯和长鑫存储正处于HBM制造的早期阶段，主要是为了应对未来人工智能和高性能计算领域的应用需求。其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂，长鑫存储则与封装和测试厂通富微电合作开发了HBM样品，并向潜在的客户展示。

HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求，这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

据了解，目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然美国没有限制HBM芯片的出口，但是HBM3芯片使用了美国的技术制造。