SK 海力士计划采用1c nm 32Gb DRAM打造HBM4E内存，进一步提升容量

SK 海力士技术人员Kim Kwi Wook在IEEE IMW国际存储研讨会上透露，该企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存，未来可实现48GB单颗容量，为AI用例创造更多可能。

目前，三大内存厂商均尚未量产1c nm制程的DRAM内存颗粒，但SK 海力士已将HBM4量产时间提前到2025下半年。虽然HBM3E内存上使用1b nm制程的DRAM颗粒，但未来的HBM4E内存更新到32Gb DRAM裸片后，12层堆叠版本就能实现48GB单颗容量，16层版本更是可达到64GB的超大规模。

Kim Kwi Wook预计，HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。虽然混合键合技术路线仍面临良率不佳的问题，但SK 海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。